Knubbler hat geschrieben:Ja das mit Ducati Prinzip hat er mir auch erklärt und dem Regler von Silent Hektik. Was er darüber gesagt hat darf ich hier leider nicht schreiben, da ich ungern verklagt werden möchte

Aber Ihr könnt es Euch ja denken.
Laut den Messungen von denen patschen die Spitzen bei Ducati weniger ins Netz weil die riesen Batterien früher hatten. Bei einer 10Ah Batterie soll das deutliche Spitzen geben. (selber noch nicht gemessen von mir, jedoch haben die eigene Lichtmaschinen/Regler Prüfstande dafür)
Ähm ähm ähm. Dieser Regler stammte aus den 80er Jahren. In der Zwischenzeit sind 30 Jahre vergangen. Glaubst Du wirklich, dass die Bauteiltechnik sich nicht weiterentwickelt hat und die Bauer solcher Technik nicht moderne MOS-FETs verwenden, die es damals gar nicht gab? Dazu kann ich dann nur sagen - träum, weiter..... (ich will hier nicht auf spezielle Daten der Bauteile eingehen, das versteht dann ehh keiner mehr)
Nochmal zur Erwärmung - Jedes elektronische Bauteil (korrekt Halbleiter) hat sogenannte PN-Übergänge (das sind die Übergänge der Bereiche mit entgegengesetzter Dotierung (positiv/negativ)). Zwischen den beiden Zonen befindet sich ein sogenannter Potentialwall. In Sperrrichtung wird er vergrößert und in Durchlassrichtung verkleinert. Man nennt die Potentialdifferenz auch Diffusionsspannung. Sie ist materialabhängig und beträgt bei Silzium ca. 0,7 Volt oder bei Germanium ca. 0,3 Volt. Ein Thyristor besteht typischerweise aus drei solchen Übergängen (p/n/p/n). Damit ist seine Diffusionsspannung schon deutlich höher (ca. 2 Volt) und er hat Prinzip bedingt beim Zündvorgang thermische Probleme im Bereich des dritten P/N-Überganges. Ist so ähnlich wie ein kleines Loch in einem Wasserrohr. Ist es klein und der Druck groß, droht es zu sprengen, wird das Loch größer fließt mehr, aber langsamer. Fließt ein großer Strom auf kleiner Fläche im Silizium, so erhitzt es sich sehr stark (bis zur Schmelztemperatur von Silizium) = Ausfall.
Eine Besonderheit stellen MOS-FETs dar. Das Funktionsprinzip ist übrigens vor den Bipolar-Halbleitern (Dioden, Transistoren, Thyristoren) bekannt gewesen. Hier gibt es keinen PN-Übergang wie bei Dioden, Transistoren oder Thyristoren, sondern es handelt sich um einen n- oder p-Kanal, der über eine Spannung verarmt oder auch angereichert werden kann -je nach MOS-FET Funktion. Dabei werden zwei n- oder p-leitende Inseln auf dem Chip miteinander verbunden und es kann nun ein annähern ungehinderter Strom fließen. Der innenwiderstand solcher Kanäle ist meist sehr niedrig und wird daher oft in Milliohm angegeben.
Um das nun mit der Erwärmung in Einklang zu bringen genügt das Ohmsche Gesetz. Der durch den Halbleiter fließende Strom = die am Halbleiter liegende Spannung * dem Innenwiderstand.
Für Bipolar = U(innen) = 3x 0,7 Volt (stromunabhängig)
für MOS-FET = R(innen z.B. 0,04 Ohm)
also bei MOS-FET ergibt sich die Verlustleistung erst durch Berechnung der Flussspannung mittels des fließenden Stromes
Beispiel MOS-FET: U(F) = 0,04 * 20 Ampere = 0,8 Volt
Verlustleitung dazu: P= U*I = 0,8V * 20A =
16 Watt
Gegenbeispiel P/N/P/N (Thyristor): U(F) = ca. 2 Volt
Verlustleistung dazu: P = 2V * 20A =
40 Watt
Diese Beispiele dienen nur zur Verdeutlichung warum das so ist und warum MOS-FETs Thyristoren in dieser Hinsicht überlegen sind.
Der Unterschied zwischen Quer- und Längsregler ist noch einmal eine komplette andere Sache. Und aus technischer Sicht ist ein Längsregler die beste Lösung. Ob die damit verbundenen Probleme (schnelle Schaltzeiten, Exakte ultraschnelle Messung und Dämpfung des Ausgangssignals) von allen Herstellern in den 30 Jahren gut im Griff ist, sei hier nicht besprochen. Fakt ist aber, dass Längsregler keine Leistung "verbrennen" müssen und daher noch weniger Wärme erzeugen.
Also in der Reihenfolge:
geht so - der klassische Thyristorregler (für Grobmotoriker)
schon recht gut - MOS-FET Regler (Querregelnd) viel weniger Wärme als Thyristorregler , aber immer noch Leistungsverbrennung
beste Lösung - MOS-FET Regler als Längsregler - verbrennt keine Leistung
Ich hoffe, ich habe euch nicht überfordert
